Słaby
Bo to IGBT. Będzie miał ponad 1V spadku napięcia.

Nie zaatakowałem pierwszy. To był kontratak po nazwaniu użytkowników elektrody bufonami i innymi takimi.
Dla Twojej wiadomości: jest tu na forum cnc.info wielu użytkowników elektrody. Aktywnych, nie tylko takich którzy odeszli z elektrody czy zostali z niej wyrzuceni.
Dodatkowo słowem nie wspomniałem o teorii. Wypowiadałem się tylko i wyłącznie w oparciu o praktykę. Przyczepiasz mi łatkę teoretyka tylko dlatego że się przyznałem że jestem z elektrody?

fulcrum29 pisze:Napewno da sie logicznie i praktycznie rozwiazac problem zalozyciela tego postu.trzeba tylko umiec rozmawiac

Trzeba też czytać temat, żeby wiedzieć jaki problem jest do rozwiązania w temacie w jakim się odpowiada.
Nie bez powodu zwróciłem Ci uwagę.
Chciałem Ci pokazać jak błędnie oceniasz ludzi (użytkowników elektrody w tym przypadku).
Wytykasz im brak praktyki. Tylko teoria i teoria.
A sam nie jesteś lepszy.
Może i masz praktykę ale brakuje Ci czego innego: kontaktu z rzeczywistością.
Bo nawet praktyka to jeszcze nie jest kontakt. Trzeba jeszcze wiedzieć jaki problem jest do (praktycznego) rozwiązania. A żeby to wiedzieć wystarczy przeczytać treść tego problemu.
A Ty zabierasz się do pomagania bez przeczytania tematu w którym chcesz pomóc. No to jak to nazwać? I jak można nie skrytykować takiego podejścia?

fulcrum29 pisze:tak mi sie przypomniało ze Mosfety z dawnych pecetow z płyt głownych obsługiwały napiecie 3.3 V,,i dało sie je wyzwalac..przy tym niskie Rdson-miliohmy,czyli duze prądy D-S.Ty;lko czy ma to sens zabawy z latarką?..nie wiem....

A takim stwierdzeniem pokazujesz że ne masz kontaktu z praktyką.
MOSFETY o małym RDSon są coraz popularniejsze. To nie tylko starocie ze starych płyt głównych.
Nic dziwnego że nie wiesz czy to ma sens w latarce.
Więc mówię: ma. Bo dzisiaj takie MOFSETy są popularne i do kupienia za grosze.

Mówię w oparciu o praktykę a nie teorię z książek.
Oraz w oparciu o fakty.
A Ty nie opierasz się na niczym. Ani na książkach, ani na tym co napisało w tym temacie.
A tak się składa że temat dotyczy:

Avalyah pisze:Napięcie zasilające dla tych diod to ok 4-4.2V (naładowane ogniwo li-ion)

Gdzie Ty zatem masz tam miejsce na umieszczenie LM317? Tu nie ma zasilania sieciowego. To latarka Panie użytkowniku nie z elektrody.

fulcrum29 pisze:mozna mu dac na bramke sygnal z transoptora-prz tej okazji mikrokontroler jest odseparowany galwanicznie...czy to jasne?

A po kiego czorta? Nie chodzi o to czy coś jest jasne czy nie. Tylko czy ma sens.
A jak widać Ty nie masz pojęcia co proponujesz bo proponujesz coś co jest dla Ciebie jasne, ale jest bez sensu.
Nic dziwnego że spaliłeś wiaderko MOSFETów. I nic Cię to nie nauczyło wbrew temu co piszesz.
Bo żeby się czegoś nauczyć (nawet samemu bez użycia książek) to trzeba stosować rozwiązania pasujące do problemu a nie tylko rozwiązania które są dla nas "jasne". Czasami trzeba użyć rozwiązania którego nie znamy czy nie rozumiemy. Ty byś zrezygnował i zastosował niepasujące rozwiązanie, byłe było ono "jasne". A normalny uczący się człowiek, doucza się na temat tego czego jeszcze nie rozumie, żeby to zrozumieć i móc zastosować.
Ty działasz tak jak człowiek z pierwszego przykładu. Temat jest o latarce, ale Ty nic o tym nie wiesz. Wiesz za to o LM317 i transoptorach. Fajnie że to wiesz i że jest to dla Ciebie "jasne". Tylko co z tego? To jest dobre do zasilania sieciowego. A nie tutaj. Tutaj trzeba się douczyć i zastosować rozwiązanie odpowiednie dla latarki, gdzie maksymalne dostępne napięcie to 4.2V.

99% osób na elektrodzie to właśnie osoby takie jak Ty. Które nie mają pojęcia co piszą. Nie czytają treści tematu i potem odpowiadają nie na temat. Byle sobie ponarzekać jak to im na elektrodzie źle.
Więc nie oceniaj elektrody na podstawie 1% osób które nazywasz:

fulcrum29 pisze:Stado nadetych bufonow,dawnych nauczycieli juz na emeryturze,lub niespelnionych w pracy "inzynierkow" ktorzy teorie maja w małym palcu ale od praktyki dzieli ich Pacyfik...

fulcrum29: bzdury do kwadratu.
Jakie wzmocnienie progu otwarcia bramki?
W tym przypadku chodzi o otwieranie małym napięciem, a nie o uzyskanie dużej częstotliwości przełączania (gdzie miało by sens to o czym wspominasz, i to się nazywa komplementarny wtórnik napięcia). Użycie tego tutaj nic nie pomoże a wręcz zaszkodzi bo doda dodatkowy spadek napięcia na tranzystorze BJT sterującym bramką MOSFETa. Czyli bramka zamiast dostać np. 4V dostanie 3.3V (4V - 0.7V spadku na górnym tranzystorze wtórnika).
Więc takie rozwiązanie jest kompletnie bez sensu.
Tak, jestem z elektrody.

Wprawdzie już dużo sam rozkminiłeś ale jednak odpowiem.

Avalyah pisze:wizja wizyty na elektrodzie okazała się wystarczająco przerażająca

Nie poszedłeś do elektrody to elektroda przyszła do Ciebie

Avalyah pisze:1. Jeśli dobrze rozumiem Vgs, czyli gate threshold voltage to parametr określający mi zakres napięć minimalnych potrzebnych do pełnego otwarcia tranzystora.

Nie. To jest napięcie początku otwierania tranzystora.

Avalyah pisze:I co wynika z warunku Vgs = Vds oraz Id = 11uA i 250uA?Przecież, jeśli dobrze rozumiem, przez dren chcę puścić prąd aż 700mA, jaki ma to wpływ na napięcie Vgs?

Bo tak jak wcześniej, to jest napięcie początku otwierania.
Napięcie to mierzy się np. zwierając D z G (i stąd Vgs = Vds). I podając prąd 10 albo 250uA.
Cały prąd popłynie oczywiście przez D. I wtedy mierząc napięcie Vgs (czyli jednocześnie Vds) określi się Vgs(th).
Przy czym Vds nie musi być równe Vgs. Podobny wynik uzyska się dla różnych napięć Vds. Ale przyjęli Vgs równe Vds dla uproszczenia pomiarów.

W Twoim przypadku potrzeba żeby tranzystor się w pełni otworzył. Minimalne napięcie pełnego otwarcia to napięcie dla którego podaje się RDSon. Czyli dla obu tranzystorów które podałeś jest to jakieś 2.5V. Więc powinny wystarczyć.

Avalyah pisze:Niestety, przy tranzystorze 2 jest zaznaczone, że to wartość dla pulsu o szerokości mniejszej, niż 300us i wypełnienia 2% w drugim nic na ten temat nie ma. Dlaczego tylko w jednej nocie jest to zaznaczone?

To był tylko warunek pomiaru. RDSon mierzyli przy prądzie aż 6A, więc tranzystor nie wytrzymał by ciągłego prądu 6A. Dlatego dali PWMa o wypełnieniu 2%.

Avalyah pisze:I przede wszystkim, jak zmieni się ta wartość, jeżeli podałbym sygnał o wypełnieniu 100%?

Ta wartość się nie zmieni. Chodzi tylko o to że ciągły prąd będzie grzał tranzystora.
Więc wartość się może zmienić ale już na wskutek grzania.[/code]