Mosfet - interpretacja noty producenta

Witam w tym dziale po raz pierwszy.

Mam do Kolegów kilka pytań, bo nie do końca rozumiem kilka pojęć.

Co chcę zrealizować:
Chcę poprzez mosfeta zasilać diodę power led, która będzie pobierała domyślnie 350mA lub 700mA dla napięcia przewodzenia około 3.3V, moc wychodzi z tego 1-2W. Napięcie zasilające dla tych diod to ok 4-4.2V (naładowane ogniwo li-ion), więc do diody będzie jeszcze oczywiście erzystor ograniczający. Do sterowania mosfetem będę wykorzystywał mikrokontroler pracujący z napięciem 3.3V.

Tranzystory, które chciałbym porównać:
Tranzystor 1
Tranzystor 2

Pytania:
1. Jeśli dobrze rozumiem Vgs, czyli gate threshold voltage to parametr określający mi zakres napięć minimalnych potrzebnych do pełnego otwarcia tranzystora. Jeżeli podany maks wynosi mniej, niż 3.3V to sygnał z mikrokontrolera wystarczy, tak? I co wynika z warunku Vgs = Vds oraz Id = 11uA i 250uA? Przecież, jeśli dobrze rozumiem, przez dren chcę puścić prąd aż 700mA, jaki ma to wpływ na napięcie Vgs? W pierwszej nocie jest wykres, ale uzależniający Vgs od temperatury, a w drugim tego nawet nie ma.
2. Jak obliczyć wydzielaną na tranzystorze moc? Znam wartość płynącego prądu, w nocie podane jest też Rds(on), czyli drain source on state resistance. W obu przypadkach dla znacznie większych natężeń, niż ja chciałbym stosować, ale podana wartość jest nieduża, średnio około 50mohm. Niestety, przy tranzystorze 2 jest zaznaczone, że to wartość dla pulsu o szerokości mniejszej, niż 300us i wypełnienia 2% w drugim nic na ten temat nie ma. Dlaczego tylko w jednej nocie jest to zaznaczone? I przede wszystkim, jak zmieni się ta wartość, jeżeli podałbym sygnał o wypełnieniu 100%? Znowu jest do tego wykres, ale wartości natężeń na nim są bardzo duże. Czy mogę po prostu skorzystać ze wzoru P = I^2*R i podstawić tutaj wartości 700mA i 50mohm, co da mi moc około 0.05W?

Z góry wielkie dzięki za odpowiedzi, bardzo by mi to pomogło, bo coś nie mogę się w ten temat zagłębić. Wszystkim pomagającym oczywiście odwdzięczę się klikając "pomógł".

Jedynym pomocnym w takim temacie to " elektroda " .

Dałem Koledze "pomógł". bo chociaż nie bezpośrednio, to wizja wizyty na elektrodzie okazała się wystarczająco przerażająca, żeby jeszcze raz spróbować samemu coś znaleźć i chyba się udało. Dla zainteresowanych:

wyjasnienie

Z czego wynika, że:

1. Vgs(th) (voltage gate source threshold) oznacza, że po podaniu takiego napięcia na bramkę otrzymamy przepływ maluteńkiego prądu (w zlinkowanych przeze mnie datasheetach 11 uA i 250uA), czyli niewiele. Dalsze zwiększanie tego napięcia powoduje gwałtowny wzrost przewodzenia, zgodnie z wykresem, np.:



gdzie wartości wpisane na wykresie to właśnie Vgs, z którego (jeśli dobrze czytam, proszę mnie wyprowadzić z błędu, jeśli tak nie jest) wynika, że już dla podania na Vgs napięcia 1.8V osiąga się około 0.8A prądu, przy czym podając więcej, jak np. 3V+ wzrost jest bardzo gwałtowny i szybko umożliwia przepływ bardzo dużego prądu.

2. Mój wzór jest dobry, tego akurat się spodziewałem, w końcu fizyka nie kłamie, ale dowiedziałem się, że właśnie to Rds(on) zależy też od napięcia podanego na bramkę (Vgs) i im więcej napięcia, tym mniejszy opór, tak jak z zaworem, który im bardziej jest otwarty, tym mniejszy opór stawia. Natomiast notatka o wypełnieniu 2% to taki haczyk, polegający na podaniu wartości dla bardzo specyficznych, korzystnych warunków. Natomiast w normalnych warunkach pomnożenie oporu dwukrotnie dla danego Vgs powinno dać wiarygodną liczbę.

Wartość tą ilustruje poniższy wykres, np.:


gdzie, jak widać, podanie niewielkiego napięcia Vgs kończy się dość sporym wzrostem Rds(on), a zwiększenie go do 3V+ powoduje znacznie bardziej delikatny wzrost.

Jeśli gdzieś w moim rozumowaniu jest poważny błąd, to proszę mnie z niego wyprowadzić

Avalyah pisze:Czy mogę po prostu skorzystać ze wzoru P = I^2*R i podstawić tutaj wartości 700mA i 50mohm, co da mi moc około 0.05W?

I może nieco wzrośnie gdy dioda będzie w "trybie mrugania".

ONATOS pisze:Jedynym pomocnym w takim temacie to " elektroda " .

Tak, ale 15 lat wstecz. Teraz królują nadęte bufony którym najlepiej wychodzi krytykowanie, a o pomocy możesz zapomnieć

ALZ pisze:Tak, ale 15 lat wstecz. Teraz królują nadęte bufony którym najlepiej wychodzi krytykowanie, a o pomocy możesz zapomnieć

Wszystko zależy od administratora. Gdyby właścicielowi zależało na właściwym poziomie forum ( a nie tylko na ortografii ) to było by pozamiatane po bufonach i filozofach, a jak wali sie reklamę za reklamą i kręci kasę to, jest jak jest.

ALZ pisze:

ONATOS pisze:Jedynym pomocnym w takim temacie to " elektroda " .

Tak, ale 15 lat wstecz. Teraz królują nadęte bufony którym najlepiej wychodzi krytykowanie, a o pomocy możesz zapomnieć

To raczej nie tak jest. Na elektrodzie królują lamerzy, którzy (chyba) w ten sposób usiłują SOBIE udowodnić że są lepsi od innych, jeszcze większych lamerów. To jest zupełnie inne pokolenie, zupełnie inaczej rozumujących ludzi.
15 lat temu w internecie nie było jeszcze takich roszczeniowych użytkowników jak dziś. Ci którzy wówczas byli pomocni, z czasem zrozumieli że to martwa uliczka. Dzięki dostępowi do łatwej w strawieniu informacji, zamiast coraz lepiej jest coraz gorzej. Kiedyś ludzie oczekiwali pomocy i wskazówek, dziś oczekują gotowych rozwiązań. Efekt jest taki, że na specjalistycznych forach zostali praktycznie sami amatorzy, którzy miotają się "jak żyd po pustym sklepie", karmiąc się nawzajem różnymi często bzdurami. A wszystkiemu winien niedobór wykształcenia, do którego większość ma stosunek alergiczny NIESTETY.

Wracając do dokumentacji podzespołów. Nawet jeśli jest to PDF od SGS-Thomsona, czyli w 1/3 pełny , "odszyfrowanie" znaczeń co najmniej połowy parametrów wymaga po prostu znajomości tematu. To nie jest literatura przeznaczona dla początkującego radioamatora. Owszem, praktycznie każdy może z tego wyczytać podstawowe "oklepane" parametry, tyle że są one niewystarczające do bardziej konkretnych zastosowań.
Na to nie ma rady innej niż wiedza którą się nabywa na drodze studiowania zagadnienia i odpowiedniej literatury.
Żeby rozszyfrować i rozumieć w pełni wszystkie parametry w PDF dot jakiegoś tranzystora, trzeba zacząć od fizyki półprzewodników, potem przejść przez technologię budowy i w połączeniu ze znajomością układów elektronicznych wszystko staje się jasne. Wręcz oczywiste. I wówczas także rozumie się jak ważne są niektóre parametry w niektórych aplikacjach a w innych nie.
Elektronika w rozumieniu układów elektronicznych, to bardzo rozległa wiedza i na dodatek głęboko tkwiąca w podstawach fizycznych i posługująca się dość zaawansowaną matematyką. To jest nauka.

Amator zapyta, a po cholerę mi wiedza której wprowadzenie na poziomie podstawowym wymaga od 2 do 5 lat intensywnej nauki, skoro ja tylko sobie chcę sobie zmontować jakiś prosty układ, BO UMIEM ZAPROGRAMOWAĆ ATMEGĘ? Odpowiedź brzmi: w zasadzie po nic, ale licz się z tym, że twój układ będzie byle jaki a być może nawet będzie sprawiał problemy i ty owych problemów nie będziesz w stanie zrozumieć i wyeliminować.

Ten opor ktory tam wyczytales dla maks szerokosci impulsu oznacza nie mniej ni wiecej ze opor tego elementu jest podany w warunkach kiedy dlugosc sygnalu jest nie mniejsza niz ta ktora tam przytoczyles. Im czesciej wysylasz sygnal czyli mosfet pracuje z wyzsza czestotliwoscia to ilosc ciepla bedzie wieksza. Troche sie bawilem z mosfetami i ten parametr jest dosc wazny. Mosfety zazwyczaj wykorzystuje sie w urzadzeniach do szybkiego wlaczania / wylaczania obwodow. Moglbys zrealizowac to samo zadanie korzystajac ze zwyklego przelacznika sterowanego sygnalem z mikroprocesora.

"Na elektrodzie królują lamerzy" + "nadęte bufony" - oj tak, do tego stopnia że mnie ćwoki zbanowali na amen za riposty do w/w delikwentów.
Istnieje też: http://www.eres.alpha.pl/ (przystępny dla amatorów)