A już na pewno nie po takim czasie

Moje półroczne zmagania z tym zagadnieniem rozwiązało właśnie to, że ktoś mi zasugerował układ AMC7135, o którym wcześniej nie słyszałem, nie wiedziałem i nigdy się nie natknąłem. A jak znalazłem, to pomyślałem, że jaki ja głupi, że nie poszukałem, jak robią latarki ledowe.

Działa bardzo ładnie, chociaż podawany w datasheecie minimalny spadek napięcia jest trochę z czapy, przy moich pomiarach wychodził co najmniej 2 razy większy, ale to i tak znacznie mniej, niż udało mi się zrobić na układzie z wzmacniaczem operacyjnym i tranzystorami bipolarnymi, mimo, że zastosowałem wydawałoby się idealne do tego tranzystory (polecone również na elektrodzie).

A co do samego forum elektrody mam pozytywne odczucia. Użytkownicy są pomocni, mimo, że moje problemy i pytania nie były jakoś szczególnie zaawansowane, to ani razu nie zostałem odesłany do opcji szukaj. Zawsze znajdzie się kilka osób, które po prostu pomagają ludziom, pewnie koledzy RomanJ4 z naszego forum, jak chociażby nieoceniony tmf (pan Tomasz Francuz, super książki o xmegach) w dziale z mikrokontrolerami.

InzSpawalnik pisze:Moglbys zrealizowac to samo zadanie korzystajac ze zwyklego przelacznika sterowanego sygnalem z mikroprocesora.

Masz na myśli przekaźnik? Bo nie spotkałem się z przełącznikami sterowanymi mikroprocesorem, myślałem, że to po prostu zadanie tranzystorów.

Dałem Koledze "pomógł". bo chociaż nie bezpośrednio, to wizja wizyty na elektrodzie okazała się wystarczająco przerażająca, żeby jeszcze raz spróbować samemu coś znaleźć i chyba się udało. Dla zainteresowanych:

wyjasnienie

Z czego wynika, że:

1. Vgs(th) (voltage gate source threshold) oznacza, że po podaniu takiego napięcia na bramkę otrzymamy przepływ maluteńkiego prądu (w zlinkowanych przeze mnie datasheetach 11 uA i 250uA), czyli niewiele. Dalsze zwiększanie tego napięcia powoduje gwałtowny wzrost przewodzenia, zgodnie z wykresem, np.:



gdzie wartości wpisane na wykresie to właśnie Vgs, z którego (jeśli dobrze czytam, proszę mnie wyprowadzić z błędu, jeśli tak nie jest) wynika, że już dla podania na Vgs napięcia 1.8V osiąga się około 0.8A prądu, przy czym podając więcej, jak np. 3V+ wzrost jest bardzo gwałtowny i szybko umożliwia przepływ bardzo dużego prądu.

2. Mój wzór jest dobry, tego akurat się spodziewałem, w końcu fizyka nie kłamie, ale dowiedziałem się, że właśnie to Rds(on) zależy też od napięcia podanego na bramkę (Vgs) i im więcej napięcia, tym mniejszy opór, tak jak z zaworem, który im bardziej jest otwarty, tym mniejszy opór stawia. Natomiast notatka o wypełnieniu 2% to taki haczyk, polegający na podaniu wartości dla bardzo specyficznych, korzystnych warunków. Natomiast w normalnych warunkach pomnożenie oporu dwukrotnie dla danego Vgs powinno dać wiarygodną liczbę.

Wartość tą ilustruje poniższy wykres, np.:


gdzie, jak widać, podanie niewielkiego napięcia Vgs kończy się dość sporym wzrostem Rds(on), a zwiększenie go do 3V+ powoduje znacznie bardziej delikatny wzrost.

Jeśli gdzieś w moim rozumowaniu jest poważny błąd, to proszę mnie z niego wyprowadzić

Witam w tym dziale po raz pierwszy.

Mam do Kolegów kilka pytań, bo nie do końca rozumiem kilka pojęć.

Co chcę zrealizować:
Chcę poprzez mosfeta zasilać diodę power led, która będzie pobierała domyślnie 350mA lub 700mA dla napięcia przewodzenia około 3.3V, moc wychodzi z tego 1-2W. Napięcie zasilające dla tych diod to ok 4-4.2V (naładowane ogniwo li-ion), więc do diody będzie jeszcze oczywiście erzystor ograniczający. Do sterowania mosfetem będę wykorzystywał mikrokontroler pracujący z napięciem 3.3V.

Tranzystory, które chciałbym porównać:
Tranzystor 1
Tranzystor 2

Pytania:
1. Jeśli dobrze rozumiem Vgs, czyli gate threshold voltage to parametr określający mi zakres napięć minimalnych potrzebnych do pełnego otwarcia tranzystora. Jeżeli podany maks wynosi mniej, niż 3.3V to sygnał z mikrokontrolera wystarczy, tak? I co wynika z warunku Vgs = Vds oraz Id = 11uA i 250uA? Przecież, jeśli dobrze rozumiem, przez dren chcę puścić prąd aż 700mA, jaki ma to wpływ na napięcie Vgs? W pierwszej nocie jest wykres, ale uzależniający Vgs od temperatury, a w drugim tego nawet nie ma.
2. Jak obliczyć wydzielaną na tranzystorze moc? Znam wartość płynącego prądu, w nocie podane jest też Rds(on), czyli drain source on state resistance. W obu przypadkach dla znacznie większych natężeń, niż ja chciałbym stosować, ale podana wartość jest nieduża, średnio około 50mohm. Niestety, przy tranzystorze 2 jest zaznaczone, że to wartość dla pulsu o szerokości mniejszej, niż 300us i wypełnienia 2% w drugim nic na ten temat nie ma. Dlaczego tylko w jednej nocie jest to zaznaczone? I przede wszystkim, jak zmieni się ta wartość, jeżeli podałbym sygnał o wypełnieniu 100%? Znowu jest do tego wykres, ale wartości natężeń na nim są bardzo duże. Czy mogę po prostu skorzystać ze wzoru P = I^2*R i podstawić tutaj wartości 700mA i 50mohm, co da mi moc około 0.05W?

Z góry wielkie dzięki za odpowiedzi, bardzo by mi to pomogło, bo coś nie mogę się w ten temat zagłębić. Wszystkim pomagającym oczywiście odwdzięczę się klikając "pomógł".