hFE to współczynnik wzmocnienia prądowego - w przypadku tranzystorów polowych jego podawanie nie ma wielkiego sensu. W dokumentacji 2sk117 znajdziesz parametr "forward transfer admittance" ( Yfs ) który definiuje "wzmocnienie" tego typu tranzystora - czyli "o ile zmieni się prąd drenu przy zmianie napięcia na bramce".

Dla uzupełnienia - z tego co pamiętam parametry "h cośtam" to "parametry hybrydowe czwórnika" a "y cośtam" to "parametry admitancyjne czwórnika" ale pewności nie mam - egzamin miałem 25 lat temu i zdążyłem wszystko zapomnieć

A rzeczywiscie- całkiem zapomniałem o tej elektrodzie.
W przypadku bipolarnych parę razy widziałem schematy gdzie spacjalnie podłączano tranzystor na odwrót bo któryś z parametrów był wtedy lepszy ale to było batdzo dawno temu

Tak - w rzeczywistości tranzystory nie są w pełni symetryczne i "poprawnie" ustawione mają lepsze parametry ale wszystkie tranzystory (nie tylko jfet - bipolarne i mosfety też) działają podpięte na odwrót

"niezależnie jaka stroną go włoże w tester tranzystorów to pokazuje mi na nim Drain i Source zawsze na tych samych zaciskach (!), przez co nie wiem jak go wlutować poprawnie. Dwustronny tranzystor?"

Tu masz dokumentacje: https://www.futurlec.com/Datasheet/Tran ... 2SK117.pdf - wlutuj wg. dokumentacji a nie tego co podaje tester.

2SK117 to tranzystor JFET - tu masz opis działania: https://pl.wikipedia.org/wiki/Tranzysto ... C4%85czowy
Popatrz na rysunek (zignoruj obszar opisany jako "obszar ładunku przestrzennego") i zastanów się po czym tranzystor poznaje która końcówka jest drenem a która źródłem
Idss to prąd płynący przez tranzystor kiedy bramka jest zwarta ze źródłem - 2SK117 jest produkowany (albo po prostu tranzystory są mierzone i grupowany) w trzech klasach:
BL ma idss w zakresie 6 do 14mA
GR - 2.6 do 6.5mA
Y - 1.2 - 3mA
W schemacie jest podane BL - przypuszczam że dałoby się go wymienić na GR ale prawdopodobnie będziesz musiał wyregulować punkt pracy.