Mosfet - interpretacja noty producenta
: 13 lis 2016, 22:15
Witam w tym dziale po raz pierwszy.
Mam do Kolegów kilka pytań, bo nie do końca rozumiem kilka pojęć.
Co chcę zrealizować:
Chcę poprzez mosfeta zasilać diodę power led, która będzie pobierała domyślnie 350mA lub 700mA dla napięcia przewodzenia około 3.3V, moc wychodzi z tego 1-2W. Napięcie zasilające dla tych diod to ok 4-4.2V (naładowane ogniwo li-ion), więc do diody będzie jeszcze oczywiście erzystor ograniczający. Do sterowania mosfetem będę wykorzystywał mikrokontroler pracujący z napięciem 3.3V.
Tranzystory, które chciałbym porównać:
Tranzystor 1
Tranzystor 2
Pytania:
1. Jeśli dobrze rozumiem Vgs, czyli gate threshold voltage to parametr określający mi zakres napięć minimalnych potrzebnych do pełnego otwarcia tranzystora. Jeżeli podany maks wynosi mniej, niż 3.3V to sygnał z mikrokontrolera wystarczy, tak? I co wynika z warunku Vgs = Vds oraz Id = 11uA i 250uA? Przecież, jeśli dobrze rozumiem, przez dren chcę puścić prąd aż 700mA, jaki ma to wpływ na napięcie Vgs? W pierwszej nocie jest wykres, ale uzależniający Vgs od temperatury, a w drugim tego nawet nie ma.
2. Jak obliczyć wydzielaną na tranzystorze moc? Znam wartość płynącego prądu, w nocie podane jest też Rds(on), czyli drain source on state resistance. W obu przypadkach dla znacznie większych natężeń, niż ja chciałbym stosować, ale podana wartość jest nieduża, średnio około 50mohm. Niestety, przy tranzystorze 2 jest zaznaczone, że to wartość dla pulsu o szerokości mniejszej, niż 300us i wypełnienia 2% w drugim nic na ten temat nie ma. Dlaczego tylko w jednej nocie jest to zaznaczone? I przede wszystkim, jak zmieni się ta wartość, jeżeli podałbym sygnał o wypełnieniu 100%? Znowu jest do tego wykres, ale wartości natężeń na nim są bardzo duże. Czy mogę po prostu skorzystać ze wzoru P = I^2*R i podstawić tutaj wartości 700mA i 50mohm, co da mi moc około 0.05W?
Z góry wielkie dzięki za odpowiedzi, bardzo by mi to pomogło, bo coś nie mogę się w ten temat zagłębić. Wszystkim pomagającym oczywiście odwdzięczę się klikając "pomógł".
Mam do Kolegów kilka pytań, bo nie do końca rozumiem kilka pojęć.
Co chcę zrealizować:
Chcę poprzez mosfeta zasilać diodę power led, która będzie pobierała domyślnie 350mA lub 700mA dla napięcia przewodzenia około 3.3V, moc wychodzi z tego 1-2W. Napięcie zasilające dla tych diod to ok 4-4.2V (naładowane ogniwo li-ion), więc do diody będzie jeszcze oczywiście erzystor ograniczający. Do sterowania mosfetem będę wykorzystywał mikrokontroler pracujący z napięciem 3.3V.
Tranzystory, które chciałbym porównać:
Tranzystor 1
Tranzystor 2
Pytania:
1. Jeśli dobrze rozumiem Vgs, czyli gate threshold voltage to parametr określający mi zakres napięć minimalnych potrzebnych do pełnego otwarcia tranzystora. Jeżeli podany maks wynosi mniej, niż 3.3V to sygnał z mikrokontrolera wystarczy, tak? I co wynika z warunku Vgs = Vds oraz Id = 11uA i 250uA? Przecież, jeśli dobrze rozumiem, przez dren chcę puścić prąd aż 700mA, jaki ma to wpływ na napięcie Vgs? W pierwszej nocie jest wykres, ale uzależniający Vgs od temperatury, a w drugim tego nawet nie ma.
2. Jak obliczyć wydzielaną na tranzystorze moc? Znam wartość płynącego prądu, w nocie podane jest też Rds(on), czyli drain source on state resistance. W obu przypadkach dla znacznie większych natężeń, niż ja chciałbym stosować, ale podana wartość jest nieduża, średnio około 50mohm. Niestety, przy tranzystorze 2 jest zaznaczone, że to wartość dla pulsu o szerokości mniejszej, niż 300us i wypełnienia 2% w drugim nic na ten temat nie ma. Dlaczego tylko w jednej nocie jest to zaznaczone? I przede wszystkim, jak zmieni się ta wartość, jeżeli podałbym sygnał o wypełnieniu 100%? Znowu jest do tego wykres, ale wartości natężeń na nim są bardzo duże. Czy mogę po prostu skorzystać ze wzoru P = I^2*R i podstawić tutaj wartości 700mA i 50mohm, co da mi moc około 0.05W?
Z góry wielkie dzięki za odpowiedzi, bardzo by mi to pomogło, bo coś nie mogę się w ten temat zagłębić. Wszystkim pomagającym oczywiście odwdzięczę się klikając "pomógł".