cnc.info.pl - FORUM CNC

Czy tranzystor będzie się bardziej grzał kiedy będzie niedokońca "wysterowany"...i pomimo , że będzie przeływał przez niego niewielki prąd, to jednak pomiędzy kolektorem, a emiterem lub drenem i źródłem będzie bardzo duża oporność....???...czy może kiedy będzie przez niego przepływał większy prąd,ale będzie optymalnie "wysterowany" na bramce czy bazie???? Bo ja mam wrazenie , że w tym II przypadku....a jak jest naprawde??

Moje drugie pytanie, to czy trzeba ograniczać prąd na bramce czy bazie...jeżeli np. tranzystor pracuje przy optymalnych warunkach przy 0.5 mA na bazie....to po przekroczenu tej wartości zmieni się prąd powiedzmy na emiterze ???? czy w ogóle podpinając prąd pod bramke czy baze należy go ograniczać jeżeli chcemy maxymalnie wysterować tranzystor...???

prad na emiterze zalezy od pradu na bazie , napiecie na emiterze zalezy od napiecia na bazie, tranzystor otwarty nie w pełni grzeje sie bardziej niz w pełni , ale nie zawsze. wszystko zalezy od warunków i parametrów pracy. do tego okreslenia sluza noty katalogowe , wez sobie pierwsza lepsza note kat tranzystora bipolarnego i zobacz charakterystyki...... Transystory polowe to zupełnie inna bajka i baza jest sterowana tylko napieciowo... . Wszystko to jest oczywiscie w napisane w szczególach w tych linkach o tranzystorach z EDW , trzeba tylko troche czasu zeby poczytac....
Jesli gdzies sie pomylilem niech ktos mnie poprawi bo dzis z moja glowa nie dokonca dobrze;)