Dziwna sytuacja z tranzystorem 2SK117

[Rafalgl]

Posiadam projekt oraz płytkę "hybrydowego przedwzmacniacza na lampie ECC83 z kanałem J-Fet". W dokumentacji płytki jest w tej roli podany tranzystor o oznaczeniu 2SK117, wersja BL. Był on mega ciężki do dostania, także początkowo zamowilem 2SK117 w wersji GR. Sęk w tym, że ten tranzystor jest dziwny, tzn niezależnie jaka stroną go włoże w tester tranzystorów to pokazuje mi na nim Drain i Source zawsze na tych samych zaciskach (!), przez co nie wiem jak go wlutować poprawnie. Dwustronny tranzystor? O co tu chodzi? Ale na tym nie koniec. Jeszcze dziwniejsza sytuacja, gdyż ostatnio udało mi się dostać "dedykowany" model BL. Wg. dokumentacji miał się różnić jedynie wyższym parametrem Idss, tymczasem tester w ogóle nie wykrywa go jako J-Fet, tylko jako zwykły tranzystor bipolarny NPN i w jego przypadku już robi różnicę to którą stroną wepnę kolektor i emiter. Teraz mało że nie wiem w która stronę, to już nawet nie wiem który powinienem wlutować, bo ten drugi to niby nawet nie J-FET. układ na razie nie był uruchamiany, czy ktoś miał podobną sytuację albo zetknął się z tym tranzystorem? Możliwe, że mi wcisnęli chińczycy jakąś podróbę i zamiast jotfeta zwykły tranzystor NPN? I może wiecie co znaczą te oznaczenia BL, GR, lub Y (bo taki też występuje)?

[grg12]

"niezależnie jaka stroną go włoże w tester tranzystorów to pokazuje mi na nim Drain i Source zawsze na tych samych zaciskach (!), przez co nie wiem jak go wlutować poprawnie. Dwustronny tranzystor?"

Tu masz dokumentacje: https://www.futurlec.com/Datasheet/Tran ... 2SK117.pdf - wlutuj wg. dokumentacji a nie tego co podaje tester.

2SK117 to tranzystor JFET - tu masz opis działania: https://pl.wikipedia.org/wiki/Tranzysto ... C4%85czowy
Popatrz na rysunek (zignoruj obszar opisany jako "obszar ładunku przestrzennego") i zastanów się po czym tranzystor poznaje która końcówka jest drenem a która źródłem
Idss to prąd płynący przez tranzystor kiedy bramka jest zwarta ze źródłem - 2SK117 jest produkowany (albo po prostu tranzystory są mierzone i grupowany) w trzech klasach:
BL ma idss w zakresie 6 do 14mA
GR - 2.6 do 6.5mA
Y - 1.2 - 3mA
W schemacie jest podane BL - przypuszczam że dałoby się go wymienić na GR ale prawdopodobnie będziesz musiał wyregulować punkt pracy.

[Rafalgl]

No na tym rysunku wygląda z obu stron identycznie. Czy to znaczy że J-FETy mogą przewodzić prąd w obydwie strony?

[grg12]

Tak - w rzeczywistości tranzystory nie są w pełni symetryczne i "poprawnie" ustawione mają lepsze parametry ale wszystkie tranzystory (nie tylko jfet - bipolarne i mosfety też) działają podpięte na odwrót

[atom1477]

Akurat kupnych MOSFETów to nie dotyczy. Dotyczyło by prawdziwego 4-koncówkowego MOSFETa (takiego który ma osobno wyprowadzoną elektrodę Bulk). Kupne dyskretne MOSFETy mają jednak elektrodę Bulk podłączoną do jednej z końcówek roboczych, co sprawia że te końcówki stają się konkretnie końcówkami D i S i już nie można ich stosować zamiennie.

[grg12]

A rzeczywiscie- całkiem zapomniałem o tej elektrodzie.
W przypadku bipolarnych parę razy widziałem schematy gdzie spacjalnie podłączano tranzystor na odwrót bo któryś z parametrów był wtedy lepszy ale to było batdzo dawno temu

[atom1477]

Tak było w przypadku radzieckich tranzystorów.
Europejskie czy amerykańskie są mocno niesymetryczne, i nie chcą pracować przy odwrotnym podłączeniu.

[Rafalgl]

Ten GR jest na tyle symetryczny że nawet wzmocnienie (HFE) mierzone multimetrem ma z obu stron prawie identyczne... Coś ok bodaj 625.

[atom1477]

Tranzystory JFET nie mają takiego parametru jak hfe.

[grg12]

hFE to współczynnik wzmocnienia prądowego - w przypadku tranzystorów polowych jego podawanie nie ma wielkiego sensu. W dokumentacji 2sk117 znajdziesz parametr "forward transfer admittance" ( Yfs ) który definiuje "wzmocnienie" tego typu tranzystora - czyli "o ile zmieni się prąd drenu przy zmianie napięcia na bramce".

Dla uzupełnienia - z tego co pamiętam parametry "h cośtam" to "parametry hybrydowe czwórnika" a "y cośtam" to "parametry admitancyjne czwórnika" ale pewności nie mam - egzamin miałem 25 lat temu i zdążyłem wszystko zapomnieć