Czy tranzystor będzie się bardziej grzał kiedy będzie niedokońca "wysterowany"...i pomimo , że będzie przeływał przez niego niewielki prąd, to jednak pomiędzy kolektorem, a emiterem lub drenem i źródłem będzie bardzo duża oporność....???...czy może kiedy będzie przez niego przepływał większy prąd,ale będzie optymalnie "wysterowany" na bramce czy bazie???? Bo ja mam wrazenie , że w tym II przypadku....a jak jest naprawde??

Moje drugie pytanie, to czy trzeba ograniczać prąd na bramce czy bazie...jeżeli np. tranzystor pracuje przy optymalnych warunkach przy 0.5 mA na bazie....to po przekroczenu tej wartości zmieni się prąd powiedzmy na emiterze ???? czy w ogóle podpinając prąd pod bramke czy baze należy go ograniczać jeżeli chcemy maxymalnie wysterować tranzystor...???