Witam
pojemności bramek MOS są rzędu pF(10^-12) licząc ze płynie 1A przez 200ns do pojemności 100pF (biorę zawyżoną pojemność i minimalny podany prąd i czas) to napięcie U=Q/C gdzie Q=I*T => U= I*T/C=(1*200*10^-9)/(100^-12)=2*10^3=2kV wiec myślę ze tranzystor z napięciem 2000V na bramce będzie całkowicie otwarty już na zawsze. ,ja zapraszam do zapoznania się z działaniem tranzystorów,
Jeśli to cos komuś powie to ja elementy półprzewodnikowe zaliczałem u dr hab. inż. Kazimierza Jerzego Plucińskiego na WAT pozdrawiam

jarekk pisze:- duże straty przy przełączaniu tranzystorów ( układ sterujący da stosunkowo mały prąd bramki)

tranzystory MOS steruje sie napieciem a nie prądem:)

jarekk pisze: wolne przełączanie tranzystorów ( jak wyżej )

ja niewidze zadnych ograniczen dlaczego by mial byc "wolny" ten uklad

jarekk pisze:brak 'dead time' przy przełączaniu tranzytorów w gałęzi

a z tym masz racje:) ale moim zdanie to nie jest jakis wielki minus tej elektroniki

a te tranzystory mozna spokojnie zamieniac pozdrawiam