1 sprawdż oscyloskopem czy 555 generuje przebieg na wyjściu
2 jak zmienia się napięcie na kondensatorze zasilającym górna część IR2110 włączony między VB a VS .
3 jaką amplitude ma napięcie na wejściu dolnej części IR2110
Znaleziono 4 wyniki
Wróć do „Parametr nC Tranzystorów”
- 29 lis 2006, 21:08
- Forum: Elektronika ogólna
- Temat: Parametr nC Tranzystorów
- Odpowiedzi: 11
- Odsłony: 5631
- 23 lis 2006, 18:01
- Forum: Elektronika ogólna
- Temat: Parametr nC Tranzystorów
- Odpowiedzi: 11
- Odsłony: 5631
No nie jest tak żle ,zawsze jest coś za coś .Po jednej stronie są straty mocy -ciepło-wielkie radiatory a po drugiej duże wartości di/dt i związane z tym zakłócenia EMI ,duże dv/dt - przepięcia ,przeciążone diody cyrkulacyjne itd.
Jak popatrzysz markcomp na ten obrazek ,który zamieściłeś wszystkie parametry optują za małym Rg(Need small Rg) oprócz jednego Need large Rg to limit di/dt .
Gdy w danym obwodzie wartości di/dt (czyli szybkość zmian prądu ) przekroczą określoną wartość wtedy ten obwód staje się żródłem promieniowania elektromagnetycznego czyli po prostu "sieje" .Trzeba się przed tym bronić ,co nakazuja nawet normy europejskie i jedną z metod jest ograniczanie szybkości przełaczania tranzystorów tak by prąd zmieniał się bardziej płynnie .
W naszych układach które robimy dla siebie to chyba nie jest specjalne zmartwienie.
Jak popatrzysz markcomp na ten obrazek ,który zamieściłeś wszystkie parametry optują za małym Rg(Need small Rg) oprócz jednego Need large Rg to limit di/dt .
Gdy w danym obwodzie wartości di/dt (czyli szybkość zmian prądu ) przekroczą określoną wartość wtedy ten obwód staje się żródłem promieniowania elektromagnetycznego czyli po prostu "sieje" .Trzeba się przed tym bronić ,co nakazuja nawet normy europejskie i jedną z metod jest ograniczanie szybkości przełaczania tranzystorów tak by prąd zmieniał się bardziej płynnie .
W naszych układach które robimy dla siebie to chyba nie jest specjalne zmartwienie.
- 23 lis 2006, 13:04
- Forum: Elektronika ogólna
- Temat: Parametr nC Tranzystorów
- Odpowiedzi: 11
- Odsłony: 5631
Tak najprościej dla częstotliwości rzędu 20kHz możemy liczyć tak .Napięcie zasilające driver 12 V ,maksymalny prąd wyjściowy drivera np.200mA
R=U/I = 12/0,2 = 60 ohm Dla bezpieczeństwa można zwiększyć rezystancje o 20- 30%.
Doprowadzenie bramkowe tranzystora unipolarnego (TO220) znosi duże prądy nawet kilka kilkanaście A - gorzej z układem sterującym.
troche na ten temat:
http://focus.ti.com/lit/ml/slup169/slup169.pdf
R=U/I = 12/0,2 = 60 ohm Dla bezpieczeństwa można zwiększyć rezystancje o 20- 30%.
Doprowadzenie bramkowe tranzystora unipolarnego (TO220) znosi duże prądy nawet kilka kilkanaście A - gorzej z układem sterującym.
troche na ten temat:
http://focus.ti.com/lit/ml/slup169/slup169.pdf
- 20 lis 2006, 20:59
- Forum: Elektronika ogólna
- Temat: Parametr nC Tranzystorów
- Odpowiedzi: 11
- Odsłony: 5631
Tego się nie liczy (przynajmniej bezpośrednio) .Qg , Qgs i Qgd charakteryzują własności danego tranzystora unipolarnego .Podaje się to w nC czyli "nanokulombach".
Generalnie im mniejsze są te wartości tym tranzystor jest łatwiejszy do sterowania .Jeśli założysz że twój driver (tmc ) może ładować bramkę tranzystora prądem np.15 mA to tranzystor z Qg=100 nC wyłączy się dwa razy wolniej niż tranzystor z Qg=50 nC .
Im szybciej tranzystor się włączy lub wyłączy (praca dwustanowa) tym mniejsze są na nim straty i tym mniej sie grzeje.
Te parametry podawane są w każdej nocie katalogowej np. IRF540
Generalnie im mniejsze są te wartości tym tranzystor jest łatwiejszy do sterowania .Jeśli założysz że twój driver (tmc ) może ładować bramkę tranzystora prądem np.15 mA to tranzystor z Qg=100 nC wyłączy się dwa razy wolniej niż tranzystor z Qg=50 nC .
Im szybciej tranzystor się włączy lub wyłączy (praca dwustanowa) tym mniejsze są na nim straty i tym mniej sie grzeje.
Te parametry podawane są w każdej nocie katalogowej np. IRF540