[Schemat]
Jestem początkujący w sprawach elektroniki, ale udało mi się złożyć na arduino sterownik step/dir dzielący krok 1/16 (wykorzystuje piny pwm). Przetestowany na silniczku krokowym zasilanym 5V, impulsy generowane przez mach3 przesyłane lpt. Chciałbym wytrawić płytkę, gdzie silniki będą pracowały z napięciem 24V.
I tutaj moje pytanie, czy dla takiego napięcia trzeba w jakiś sposób zabezpieczyć avr?
Czytałem również o dodaniu kondensatora na odczycie STEP, aby wyeliminować deboucing, ale nie zauważyłem aby silnik gubił kroki lub wykonywał ich za dużo.
I czy w tranzystorach npn dobranych dla silnika 24V 0,9A będzie potrzebny radiator?
Step/Dir i microstepping na avr - do sprawdzenia
-
ursus_arctos
- Lider FORUM (min. 2000)
- Posty w temacie: 1
- Posty: 2083
- Rejestracja: 11 cze 2011, 18:29
- Lokalizacja: Warszawa / Lublin
Nie steruj silnikiem za pomocą tranzystorów bipolarnych! Jest to niewydajne (duży spadek napięcia na tranzystorze), niedokładne (niska częstotliwość przełaczania = mała dokładność prądu) i wymaga dodatkowych zabezpieczeń (tranzystor NPN nie może przewodzić w drugą stronę w normalnych warunkach). Standardem jest używanie tranzystorów MOSFET - dla sterowania bipolarnego możesz użyć komplementarnych tranzystorów (P-MOSFET na górze mostka, N-MOSFET na dole) lub samych N-MOSFETów do sterowania unipolarnego.
Jeżeli nie przesadzisz z częstotliwością i dasz MOSFETy tzw. logic-level (pełne przewodzenie przy Vgs = 4.5V), to możesz od biedy nie używać dodatkowych driverów do bramek.
Konieczność stosowania radiatora nie wynika (bezpośrednio) z napięcia, tylko z prądu. Dla NPN będzie to UsI, gdzie Us - napięcie nasycenia, I - prąd; dla MOSFETów będzie to I^2R, gdzie I - prąd, R - opór dren-źródło. Policz sobie moc traconą w tranzystorze - powyżej 1.5W dla THT (TO-220) i 3W dla SMD (D-PAK) lub radiator będzie konieczny.
W notach katalogowych jest parametr "Thermal resistance" (Rt) podawany w K/W (lub °C/W, wszystko jedno). Interesuje nas parametr Junction-to-Ambient (w przypadku SMD może występować oddzielna pozycja Junction-to-PCB lub Junction-to-Ambient (PCB mount) ). Stąd liczymy: maksymalna temperatura Tmax, na którą chcemy pozwolić (np. 150°C), maksymalna temperatura otoczenia Tamax (np. 50°C) i liczymy moc:
(Tmax-Tamax)/Rt i mamy moc. Dla tranzystora IRFR1018E (D-PAK) będzie to 2W.
Powyżej tej mocy musimy zastosować radiator. Wtedy zaczyna nas interesować parametr Oporu termicznego "Junction-to-Case" oraz własciwości samego radiatora.
Jeżeli nie przesadzisz z częstotliwością i dasz MOSFETy tzw. logic-level (pełne przewodzenie przy Vgs = 4.5V), to możesz od biedy nie używać dodatkowych driverów do bramek.
Konieczność stosowania radiatora nie wynika (bezpośrednio) z napięcia, tylko z prądu. Dla NPN będzie to UsI, gdzie Us - napięcie nasycenia, I - prąd; dla MOSFETów będzie to I^2R, gdzie I - prąd, R - opór dren-źródło. Policz sobie moc traconą w tranzystorze - powyżej 1.5W dla THT (TO-220) i 3W dla SMD (D-PAK) lub radiator będzie konieczny.
W notach katalogowych jest parametr "Thermal resistance" (Rt) podawany w K/W (lub °C/W, wszystko jedno). Interesuje nas parametr Junction-to-Ambient (w przypadku SMD może występować oddzielna pozycja Junction-to-PCB lub Junction-to-Ambient (PCB mount) ). Stąd liczymy: maksymalna temperatura Tmax, na którą chcemy pozwolić (np. 150°C), maksymalna temperatura otoczenia Tamax (np. 50°C) i liczymy moc:
(Tmax-Tamax)/Rt i mamy moc. Dla tranzystora IRFR1018E (D-PAK) będzie to 2W.
Powyżej tej mocy musimy zastosować radiator. Wtedy zaczyna nas interesować parametr Oporu termicznego "Junction-to-Case" oraz własciwości samego radiatora.
